扩散炉用作半导体器件和集成电路生产中进行半导体微粒扩散和氧化工艺的设备，是由耐高温石英材料制成的管状电阻加热炉，在其主加热段，电热丝均匀环绕其上，可以完成硼扩散、磷扩散、氧化、退火等半导体材料的实验与生产工艺。真空炉

作为本例控制对象的扩散炉，其技术指标列举如下:硅片规格:4”,6”,8”。

温度控制范围:350—1250℃，瞬时可达1280℃。

恒温区长度及精度:≤±1℃/300—800mm，300-1250℃;≤±0.5℃/300—800mm，800—1250℃。炉温单点稳定性:≤±1℃/24h，300—1250℃;≤±0.5℃/24h，800—1250℃.

温度重复性:≤±1℃。真空炉

升温速率:0一15℃/min (1000℃以下)。降温透率，0一4℃/mimo

气路:硼扩散、磷扩散各2路质量流量计，氧化/退火管为3路质量流量汁。净化工作台净化级别:100级(1000级厂房)。

它的工作温度一般为数百度***千度，要求炉温在一定的控制范围内保温到规定的时间，而且扩散工艺曲线是多台阶的。

目前国内热扩散炉的控制很多仍然采用半导体器件控制，其缺点是:操作人员芳动强度大:不能自动定时:不能自动从一个温控区进入另一个温控区:无法实现群控: Tm参数不能自动调节:温控范围受限。因此半导体行业需要对热扩散妒炉的炉温和保温时间实现较 的计算机控制、对通入扩散源的时间给予指示，而当热耦断开和扩散炉丝烧新时能给予指示和报警，并能将控制结果子以记录。

计算机用于温度控制，在国内已得到广泛的府用，实例也很多。例如采用STp总线对热扩散炉进行控制的系统，以及利用微型计算机作为控制核心的炉温控制系统。

ST总线作为控制核心，显然在价格上占有明显优势，由出于它不能以汉字显示，而月输入操作较为复杂浙以不能满足用户对直观简易操作的要求。由于Pe在性能提升的向时价格却在不断下降，因此在本例的控制系统中，使用的是计算机控制。